压电光电子学效应研究取得新进展-《西安交大报》

　　本报讯在电信学院微电子学院贺永宁教授和彭文博博士的指导下，博士生潘子健和李芳沛等研究成员通过改变制备工艺以及引入紫外光照等方法调节了ZnO TFT中ZnO薄膜的载流子浓度，首次在ZnO TFT中系统地研究了不同载流子浓度条件下的压电电子学与压电光电子学效应。这项
研究不仅揭示了ZnO TFT中载流子浓度对压电电子学与压电光电子学效应影响的底层物理机制，也为 ZnOTFT性能的有效调控提供了一种全新的思路。该成果近日发表在纳米能源与材料领域顶级期刊 Nano Energy上。
　　（电信学院）